用於引腳電子器件（PE）的典型集成電路（IC）解決方案已由多個半導體公司以多種不同的工藝技術提供。多年來，支持單個待測器件（DUT）所有功能的典型芯片組包括雙極性，互補雙極性，BiCMOS，SiGe BICMOS，CMOS，HV CMOS和GaAs，以及現場可編程門數組（FPGA）。用於不同ATE功能的這些不同技術中的每一種都是單獨包裝的。這導致ATE的解決方案佔用了大量的電路板空間，以及大量的功耗和成本，以及處理通道熱設計的相關散熱的困難。這對通道的電路板尺寸產生了限制，並限制了可以並行測試的器件數量，這會影響$ /器件的測試時間。這也是成本和電力問題。新的先進CMOS技術為ATE提供了範例轉換。 CMOS可以在單個芯片上提供高水平的集成，大量通道，並且功耗和成本更低。集成在CMOS中的能力還將能夠並行測試多個器件，從而減少每個DUT的測試時間和測試成本。這種趨勢是由CMOS的新獨特工藝特徵引發的，這使得這種新型ATE成為可能。較小的通道尺寸，較低的成本和功率以及並行測試的多個DUT是以前沒有利用CMOS工藝技術發展的概念。今天，您可以在PXI儀器卡上安裝64個高速數字通道，在典型的儀器卡上安裝192個通道。這種通道密度水平可以並行測試多達32,64或數百個DUT。
矽雙極技術歷來用於ATE引腳電子集成電路。這是因為需要針對引腳的大電壓擺動，並且較舊的雙極技術中的雙極晶體管的擊穿電壓可以支持這些要求。近年來，矽鍺（SiGe）BiCMOS技術也被考慮用於PE。 SiGe技術中有多種雙極器件類型，可以在擊穿電壓和器件FT之間進行權衡。此外，SiGe雙極型器件的發射極特徵尺寸允許將多個PE通道集成到同一個芯片上，以及一些CMOS支持電路用於引腳電子元件的控制。這是因為能夠利用SiGe BiCMOS技術中的CMOS器件，通道長度為0.35 mm至0.18 mm。
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目前，對於支持板級產品的引腳電子產品，針對汽車等市場，以及用於測試當前和未來的SOC，針對許多新興市場的大批量市場，使用先進的ATE，成本仍需考慮雙極性每個頻道（$ /頻道）已經成為這些新測試平台的一個問題，CMOS已成為雙極的競爭對手，原因有很多。 ATE電子設備的當前和未來驅動力是降低ATE中的$ /通道以及每個通道的物理板尺寸，這對於雙極或SiGe BiCMOS來說是一個困難的主張。模擬混合信號CMOS技術節點繼續向下驅動，以及相關的擊穿電壓，但是為這些技術增加了一些專用器件，例如可變漏極器件，可實現具有高擊穿電壓（HV）的模擬混合信號CMOS器件，允許在模擬混合信號CMOS中包含引腳電子器件。目前的高壓設備支持> 30V擊穿，這將演變為> 50V。目前的PE CMOS解決方案正在從180納米遷移到65納米，隨著該技術節點的減少，高壓設備的能力正在提高。
ATE支持電子設備本身正在成為SOC，其中許多功能的集成在特定工藝中曾經是獨立的封裝器件，例如時序生成，現在能夠包含在具有高集成度的CMOS工藝中。將模擬和數字ATE功能集成到單個SOC中的能力提供了減小ATE的尺寸和成本的機會。此外，所有信號處理和數字校準都可以包含在芯片上，這將使設備更易於部署。目前在FPGA中實現定時發生器（TG）的ATE客戶現在有機會將此功能包含在包含PE的定制SOC中。此集成機會提供了在與PE相同的SOC上具有客戶特定TG IP的能力。與當前的FPGA解決方案相比，TG將為客戶提供更高的分辨率，更低的抖動以及更高的可編程性和靈活性。利用CMOS節點縮放，這也可以降低電路板上的美元/通道，降低功耗和占用空間。
通過考慮利用HV CMOS器件來替換板上經典分立器件的功能，也可以實現ATE板尺寸的減小。這些CMOS HV器件還具有多個柵極，可以通過已知的設計技術利用這些柵極來支持大電壓擺動。 HV設備還可以將ATE功能（例如參數測量單元（PMU）和設備電源（DPS））集成在與PE和TG相同的SOC上，並支持單個芯片上的多個通道。因此，模擬混合信號CMOS技術通過集成多種器件類型來推動通道尺寸和成本的降低，這些器件類型歷來是分立表面貼裝（SMT）器件和不同工藝技術中的單獨封裝器件。隨著HV CMOS器件的頻率性能不斷提高，CMOS將有更多的機會與雙極和SiGe技術相媲美，取代ATE中歷史上兩極的功能。目前HV CMOS可支持> 200-400 MBps引腳電子設備。隨著模擬混合信號CMOS工藝的發展，這將演變為2-4 GBps，PE通道的數量超過8個。每個通道的電路板尺寸是一個關鍵考慮因素。所有可通過HV CMOS和小型幾何CMOS器件的集成而集成的功能都可以利用這項技術來實現。這將理想地導致具有大值電容器和CMOS SOC的電路板，並且這將電路板尺寸縮小到可能的最終物理極限。
在提高通道密度方面，模擬混合信號CMOS提供的通道密度從每個芯片2個通道增加到每個芯片最常見的8個通道，每通道功耗比同類雙極產品低2到4倍。 CMOS技術節點的減少將實現更小的封裝，更低的功耗，更高的集成度和更低的成本。所有這些因素都將有助於減少CMOS將提供的雙極無法與之競爭的渠道。此外，當前的CMOS設計可以移植到較低節點，同時降低開發成本和生產成本。利用先進的模擬混合信號CMOS可以為ATE客戶開發SOC解決方案，從而降低最終ATE產品的成本/通道成本。隨著CMOS技術節點的不斷縮小，ATE的未來正在測試具有更高引腳數和更高速度的SOC。為了應對這些挑戰，需要ATE芯片解決方案與時俱進。對於PE而言，這是一個明顯的自然進步，並且支持ATE功能也可以縮小以便跟上。有機會實現這一趨勢，並繼續沿著這條道路前進，提供獨特的ATE解決方案，以更低的功率提供高速ATE解決方案，同時減少$ / channel和隨附的電路板空間。基於此實現的獨特ATE SOC解決方案可以為您的公司提供，並允許您提供在ATE市場中作為鑑別器的解決方案。